Характеристики: [фототранзистор] [5В.]
[Материал: Si] [Спектр: 500-1100нм] [Длина волны максимума чувствительности: 850нм] [Интегральная чувствительность: 0,4мкА/лк] [Темновой ток: <3мкА] [Время отклика: <80мкс] [Максимальная освещенность: 1500лк] [Напряжение питания: 5В.]